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【本文來自持牌證券機(jī)構(gòu)，不代表平臺(tái)觀點(diǎn)，請(qǐng)獨(dú)立判斷和決策】

長(zhǎng)城證券指出，國產(chǎn)AI存力產(chǎn)業(yè)鏈潛力十足。供給端減產(chǎn)及AI相關(guān)需求強(qiáng)勁，推動(dòng)存儲(chǔ)價(jià)格繼續(xù)上漲，TrendForce預(yù)計(jì)25Q3 DRAM合約價(jià)環(huán)比提升5%~10%，NAND合約價(jià)環(huán)比提升5%~10%。同時(shí)，國內(nèi)云計(jì)算與互聯(lián)網(wǎng)廠商資本開支增長(zhǎng)，國產(chǎn)化趨勢(shì)不改。

1）HBM復(fù)盤：從HBM1到HBM3E，“內(nèi)存墻”的突破之路

HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器）：專為滿足海量數(shù)據(jù)處理需求設(shè)計(jì)的DRAM技術(shù)，通過堆疊內(nèi)存芯片和TSV（Through-SiliconVia，硅通孔）技術(shù)與微凸點(diǎn)（Microbump）互連來實(shí)現(xiàn)更高的帶寬、更大的內(nèi)存容量和更低的功耗（容量1GB→36GB/帶寬128GB/s→1.2TB/s），從而解決傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)在處理高性能計(jì)算和圖形密集型應(yīng)用時(shí)面臨的帶寬瓶頸問題。

2）HBM供需及價(jià)格研判：供給相對(duì)充足，需求高增與高端迭代催化價(jià)格上行

AI服務(wù)器強(qiáng)勁需求帶動(dòng)下，HBM市場(chǎng)正在經(jīng)歷指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2025年全球HBM市場(chǎng)將增至340億美元。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，到2030年，全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為1940億美元，其中全球HBM營收預(yù)計(jì)將超過DRAM市場(chǎng)的50%，將達(dá)到980億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)33%，其中測(cè)算2026年HBM市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)460億美元，同比增長(zhǎng)35%。據(jù)SK海力士HBM業(yè)務(wù)規(guī)劃組織主管ChoiJoon-yong表示，受惠于終端用戶對(duì)AI的剛性需求支撐，HBM市場(chǎng)規(guī)模還有很大成長(zhǎng)空間，預(yù)估至2030年，每年成長(zhǎng)幅度（CAGR）應(yīng)有機(jī)會(huì)達(dá)到30%。

技術(shù)門檻高導(dǎo)致HBM行業(yè)高度集中，目前，全球僅有的三家HBM供應(yīng)商，分別為韓國SK海力士、韓國三星電子、美國美光。其中SK海力士憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)與領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在全球HBM領(lǐng)域占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)地位。國內(nèi)HBM產(chǎn)業(yè)處于起步階段，與國際巨頭相比仍有差距，但部分企業(yè)（如長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等）已取得一定進(jìn)展。

據(jù)測(cè)算2026年全球HBM位元供給量預(yù)計(jì)43.25億GB，而全球HBM位元需求量達(dá)34.05億GB，對(duì)應(yīng)全球HBM供需缺口約9.2億GB，S/DRatio（*其計(jì)算公式=位元供給量/位元需求量-1）約為27.0%，供需差距缺口有望進(jìn)一步縮小。

3）AI時(shí)代存儲(chǔ)趨勢(shì)：AI應(yīng)用落地推升存儲(chǔ)需求，NAND/DRAM價(jià)格或延續(xù)上漲

根據(jù)DRAMexchange的數(shù)據(jù)，2025年6月DRAM的現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比上漲，其中DDR 48Gb（1Gx8）2666Mbps的6月現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比上漲94.35%；DDR416Gb（2Gx8）2666Mbps的6月現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比上漲69.02%；DDR 516G（2Gx8）4800/5600的6月現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比上漲9.30%。

根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)，2025年6月NANDFlash的現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比基本上漲，其中64Gb8G x 8MLC的6月現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比上漲13.42%；32Gb4G x 8MLC的6月現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比持平。當(dāng)前存儲(chǔ)現(xiàn)貨價(jià)格仍處于上行周期。

DRAM方面，由于三大DRAM原廠將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高階產(chǎn)品，并陸續(xù)宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X進(jìn)入產(chǎn)品生命周期末期（EOL），引發(fā)市場(chǎng)對(duì)舊世代產(chǎn)品積極備貨，疊加傳統(tǒng)旺季備貨動(dòng)能，將推升25Q3一般型DRAM（Conventional DRAM）價(jià)格季增10%至15%，若納入HBM，整體DRAM漲幅將季增15%至20%。

NANDFlash方面，NANDFlash市場(chǎng)歷經(jīng)2025年上半年的減產(chǎn)與庫存去化，供需失衡情況已明顯改善。隨著原廠轉(zhuǎn)移產(chǎn)能至高毛利產(chǎn)品，市場(chǎng)流通供給量縮減。需求面則有企業(yè)加碼AI投資，以及NVIDIA新一代Blackwell芯片大量出貨支撐。展望25Q3NANDFlash價(jià)格走勢(shì)，預(yù)估平均合約價(jià)將季增5%至10%。